کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
549401 | 872367 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Facetting of the self-assembled droplet epitaxial GaAs quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work, droplet epitaxially grown GaAs quantum dots on AlGaAs surface are studied. The quantum dots are investigated in situ with RHEED and ex situ with TEM method. The TEM picture shows that the quantum dot is perfectly crystalline and fits very well to the crystal structure of the substrate. Furthermore, the side of the quantum dot shows stepped facet shape. Here, we show, how the stepped side shape forms from the droplet during crystallization. The RHEED picture shows broadened chevron-tail, which can be explained by the shape of the quantum dot.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issue 5, May 2011, Pages 927–930
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issue 5, May 2011, Pages 927–930
نویسندگان
Ákos Nemcsics, Lajos Tóth, László Dobos, Andrea Stemmann,