کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5496475 1399851 2017 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Topological state engineering by in-plane electric field in graphene nanoribbon
ترجمه فارسی عنوان
مهندسی حالت توپولوژیک با میدان الکتریکی در هواپیما در نانوربین گرافن
کلمات کلیدی
نانوروبن گرافن، سطح لندو تحت عنوان، مرحله توپولوژیک،
ترجمه چکیده
ما وضعیت های الکترونیکی یک نانوروبن گرافن گرافیکی را با حضور میدان های الکتریکی و مغناطیسی متناوب عمود بر بررسی می کنیم. ما دریافتیم که هر دو حالت لبه و فله در مجاورت انرژی صفر قرار دارند، که منجر به حالت اسپین - قطبی شده و انتقال کوانتیزه در سیستم می شود. فاز هال اسپین کوانتومی با لبه های مارپیچ و حالت های کج فشرده مشخص می شود. با تنظیم انرژی فرمی و میدان الکتریکی در هواپیما، انتقال فاز توپولوژیکی نیز انجام می شود. حالت های الکترونیکی از حمل و نقل چرخش و بار پشتیبانی می کند و هدایت مربوط به اسپین و شارگاه مربوط به هندسه چهار ترمینال محاسبه می شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش مقاله
مهندسی حالت توپولوژیک با میدان الکتریکی در هواپیما در نانوربین گرافن
چکیده انگلیسی
We investigate the electronic states of a zigzag graphene nanoribbon in the presence of mutually perpendicular electric and magnetic fields. We find that both edge and bulk states are localized in the vicinity of zero energy, leading to spin-polarized states and quantized transport in the system. A quantum spin Hall phase is characterized by helical edge and tilted bulk states. By tuning Fermi energy and in-plane electric field, a topological phase transition is also realized. The electronic states support the transport of spin and charge, and the corresponding spin and charge Hall conductivities are calculated in a four-terminal geometry.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 381, Issue 34, 12 September 2017, Pages 2841-2844
نویسندگان
, , ,