کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
549787 | 872409 | 2006 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Damped transient power clamps for improved ESD protection of CMOS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Small transient power clamps that include inverters may oscillate and disengage during an HBM ESD event. A transient power clamp created in a 0.25 μm process revealed an interesting solution to the problem. Adding a resistance to the final inverter may improve ESD performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 46, Issue 1, January 2006, Pages 77–85
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 46, Issue 1, January 2006, Pages 77–85
نویسندگان
Bradford L. Hunter, Brian K. Butka,