کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5737115 | 1614576 | 2018 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Neural electrode resilience against dielectric damage may be improved by use of highly doped silicon as a conductive material
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
IrOxSTDRAASISHUEADoped siliconElectrochemical Impedance - امپدانس الکتروشیمیاییIridium oxide - اکسید ایریدیومNeural interface - رابط عصبیFinite element analysis - روش اجزاء محدودShunting - شانتNeuroprosthetics - عصب های عصبیElectrode Materials - مواد الکترودParylene C - پریلن CAccelerated aging - پیری سریع
موضوعات مرتبط
علوم زیستی و بیوفناوری
علم عصب شناسی
علوم اعصاب (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Strategic use of silicon and similar materials may increase neural electrode robustness against encapsulation failures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Neuroscience Methods - Volume 293, 1 January 2018, Pages 210-225
Journal: Journal of Neuroscience Methods - Volume 293, 1 January 2018, Pages 210-225
نویسندگان
Ryan Caldwell, Rohit Sharma, Pavel Takmakov, Matthew G. Street, Florian Solzbacher, Prashant Tathireddy, Loren Rieth,