کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
640012 1456959 2016 13 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Use of a thermal plasma process to recycle silicon kerf loss to solar-grade silicon feedstock
ترجمه فارسی عنوان
استفاده از فرایند پلاسما حرارتی برای بازیافت سیلیکون از دست دادن خلوص به ماده سیلیکونی خورشیدی
کلمات کلیدی
سیلیکون کرف، پلاسما حرارتی، بازیافت زباله، سیلیکون درجه خورشیدی،
ترجمه چکیده
هدف از این مطالعه، بازیافت گرد و غبار تولید شده در برش ورقه های سیلیکونی (سیلیکون کرف) با استفاده از یک فرایند پلاسمای حرارتی دو مرحله ای است. در مرحله اول، ذرات سیلیکون در یک جت پلاسما تزریق می شوند که در آن اکسید سیلیکون و ناخالصی های کربن بوسیله تبخیر حذف می شوند. در مرحله دوم، قطرات سیلیکونی خالص در یک حمام سیلیکونی که در یک بوته داغ دیواره نگهداری می شود، جمع آوری می شوند. شرایط عملیاتی مطلوب برای کاهش توسط تزریق به جت پلاسما یک پودر سیلیکون تجاری درجه شناخته شده اکسیداسیون و اندازه گیری درجه تحقق یافته تعیین شد. همچنین پودر سیلیکون از برش ویفر در مرحله پلاسما دو مرحلهای پردازش داده شد. نتایج این آزمایش ها نشان می دهد که میزان دایکسید شدن از شمش سیلیکون نهایی تا 80 درصد و مقدار کربن اولیه آن 85 درصد کاهش یافته است. تصفیه اساسا توسط زمان اقامت ذرات در داغترین مناطق جت پلاسما و فشار جزئی اکسیژن در محیط پردازش کنترل می شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی تصفیه و جداسازی
چکیده انگلیسی
The objective of this study was to recycle the dust generated in the slicing of silicon wafers (silicon kerf) by means of a two-stage thermal plasma process. In the first stage, the silicon particles are injected in a plasma jet where silicon oxides and carbon impurities are removed by vaporization. In the second stage, the purified silicon droplets are collected in a silicon bath maintained in a hot-wall crucible. The optimal operating conditions for reduction were determined by injecting into the plasma jet a commercial silicon powder of known degree of oxidation and measuring the attained degree of reduction. Also, silicon powders from wafer slicing were processed in the two-stage plasma set-up. The results of these tests showed that the deoxidation rate of the final silicon ingot was as high as 80% and the initial carbon concentration decreased by 85%. The purification was essentially controlled by the residence time of particles in the hottest zones of the plasma jet and the partial pressure of oxygen in the processing atmosphere.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Separation and Purification Technology - Volume 161, 17 March 2016, Pages 187-192
نویسندگان
, , , , , ,