کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
675793 | 1459630 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystal growth kinetics in (GeS2)0.2(Sb2S3)0.8 glass
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
جریان سیال و فرایندهای انتقال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Crystal growth kinetics in (GeS2)0.2(Sb2S3)0.8 glass Crystal growth kinetics in (GeS2)0.2(Sb2S3)0.8 glass](/preview/png/675793.png)
چکیده انگلیسی
The crystal growth kinetics of Sb2S3 in (GeS2)0.2(Sb2S3)0.8 glass has been studied by DSC and optical microscopy. The linear growth kinetics of Sb2S3 has been observed in the temperature range 525 K ≤ T ≤ 556 K (EG = 295 ± 3 kJ mol−1). From the reduced growth rate plot (i.e., growth rate corrected for viscosity) as a function of supercooling it has been found that the most probable mechanism is interface controlled 2D nucleated growth. The DSC data, corresponding to the bulk sample under isothermal and non-isothermal, can be described by the Johnson–Mehl–Avrami equation for the kinetic exponent m ≅ 2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thermochimica Acta - Volume 446, Issues 1–2, 1 July 2006, Pages 121–127
Journal: Thermochimica Acta - Volume 446, Issues 1–2, 1 July 2006, Pages 121–127
نویسندگان
Daniel Švadlák, Pavla Pustková, Petr Koštál, Jiří Málek,