کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6933895 | 867778 | 2013 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A quantum energy transport model for semiconductor device simulation
ترجمه فارسی عنوان
یک مدل انتقال انرژی کوانتومی برای شبیه سازی دستگاه نیمه هادی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
شبیه سازی، روش عددی، مدل انتقال انرژی کوانتومی، نیمه هادی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
نرم افزارهای علوم کامپیوتر
چکیده انگلیسی
This paper describes numerical methods for a quantum energy transport (QET) model in semiconductors, which is derived by using a diffusion scaling in the quantum hydrodynamic (QHD) model. We newly drive a four-moments QET model similar with a classical ET model. Space discretization is performed by a new set of unknown variables. Numerical stability and convergence are obtained by developing numerical schemes and an iterative solution method with a relaxation method. Numerical simulations of electron transport in a scaled MOSFET device are discussed. The QET model allows simulations of quantum confinement transport, and nonlocal and hot-carrier effects in scaled MOSFETs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Computational Physics - Volume 235, 15 February 2013, Pages 486-496
Journal: Journal of Computational Physics - Volume 235, 15 February 2013, Pages 486-496
نویسندگان
Shohiro Sho, Shinji Odanaka,