کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6945441 | 1450514 | 2018 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An efficient NBTI sensor and compensation circuit for stable and reliable SRAM cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 87, August 2018, Pages 15-23
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 87, August 2018, Pages 15-23
نویسندگان
Ambika Prasad Shah, Nandakishor Yadav, Ankur Beohar, Santosh Kumar Vishvakarma,