کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6945587 | 1450517 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physics-based modeling of TID induced global static leakage in different CMOS circuits
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Compact modeling of inter-device radiation-induced leakage underneath the gateless thick STI oxide is presented and validated taking into account CMOS technology and hardness parameters, dose-rate and annealing effects, and dependence on electric modes under irradiation. It was shown that proposed approach can be applied for description of dose dependent static leakage currents in complex FPGA circuits.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 84, May 2018, Pages 181-186
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 84, May 2018, Pages 181-186
نویسندگان
Gennady I. Zebrev, Vasily V. Orlov, Maxim S. Gorbunov, Maxim G. Drosdetsky,