| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 6945892 | 1450520 | 2018 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultra-high voltage electron microscopy investigation of irradiation induced displacement defects on AlGaN/GaN HEMTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Dislocation loop created by heavy ion irradiation in AlGaN/GaN HEMT observed using ultra high voltage electron microscope.50
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 81, February 2018, Pages 312-319
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 81, February 2018, Pages 312-319
نویسندگان
Hajime Sasaki, Takayuki Hisaka, Kaoru Kadoiwa, Tomoki Oku, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Eiji Taguchi, Hidehiro Yasuda,