کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946212 | 1450523 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparative analysis of parameter extraction techniques for AlGaN/GaN HEMT on silicon/sapphire substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 78, November 2017, Pages 389-395
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 78, November 2017, Pages 389-395
نویسندگان
Shubhankar Majumdar, Ankush Bag, Dhrubes Biswas,