کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946233 | 1450541 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Degradation study of single poly radiation sensors by monitoring charge trapping
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه تخریب سنسورهای تک نفوذ پلی را از طریق نظارت بر شارژ بار
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
تشخیص اشعه ایکس، تشخیص گاما، آشکارسازهای تابش نیمه هادی، آشکارسازهای تابش سیلیکون، سنسورهای تابش یونیزه، آشکارسازهای تابش دروازه شناور،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Special test structures emulating the performance of C-sensor, a direct floating gate (FG) ionizing radiation sensor, were used to investigate its degradation under Gamma radiation. Original MOS transistors with bulks made of crystalline silicon and Poly allowed minimizing the number of irradiations required to study the peculiarities of charge accumulation in the dielectrics of C-sensors. Electrical characterization of the developed structures before and after the exposure to different doses of Gamma radiation was performed. The guidelines for improving sensor immunity to radiation degradation are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 59, April 2016, Pages 18-25
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 59, April 2016, Pages 18-25
نویسندگان
Evgeny Pikhay, Yakov Roizin, Yael Nemirovsky,