کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6946345 1450542 2016 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comprehensive physical analysis of bond wire interfaces in power modules
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل جامع فیزیکی اتصالات سیم باند در ماژول های قدرت
ترجمه چکیده
ماژول های قدرت بر اساس ترانزیستورهای دو قطبی دروازه های عایق شده واحدهای بسیار کاربردی در تکنولوژی انرژی تبدیل شده اند. مدیریت جریانهای بزرگ و ولتاژ بالا در فرکانس های سوئیچینگ بالا منجر به تخریب مواد در دستگاه ها، به ویژه در رابط ها و اتصالات، و در نهایت باعث خرابی می شود. در این مقاله، ما در بررسی مجموعه ای از مطالعات تجربی و نظری خود را ارائه می دهیم که اجازه تجزیه و تحلیل فیزیکی جامع از تغییرات در مواد تحت دوچرخه سواری فعال با تمرکز بر روی رابط های سیم باند و لایه های فلزی سازی ناز را ارائه می دهد. مدل های الکتریکی حرارتی و ترمو مکانیکی که می توانند برای تقلید دستگاه در شرایط عملیاتی خاص و ارزیابی عوامل استرس مربوط به اتلاف گرما مورد استفاده قرار گیرند، به طور خلاصه ارائه می شوند. نتایج مدل سازی، که پیش بینی تخریب مواد، با چندین نمونه نمونه که با استفاده از میکروسکپی با میکروسکوپ نوری و میکروسکوپ الکترونی اسکن با کمک تراکم پرتوهای یونی متمرکز شده مقایسه شده است. این نتایج تجربی نشان می دهد که توافق بسیار خوبی با اثرات سایش از پیش بینی های شبیه سازی شده است. علاوه بر این، اندازه گیری مقاومت با استفاده از روش پروب چهار نقطه ای نشان داده شده است که یک ابزار بسیار قدرتمند برای نقشه بندی تخریب اجزای و رابط های فردی است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Power modules based on insulated gate bipolar transistors have become very widely used units in energy technology. Handling large currents and high voltages at high switching frequencies leads to degradation of materials in the devices, especially at interfaces and interconnections, eventually causing failures. In this paper we present a review on the set of our experimental and theoretical studies allowing comprehensive physical analysis of changes in materials under active power cycling with focus on bond wire interfaces and thin metallisation layers. The developed electro-thermal and thermo-mechanical models that can be applied to mimic the device under particular operation conditions and to evaluate stress factors related to heat dissipation are briefly presented. The results of modelling, which predict materials degradation, are compared with a few exemplary cases obtained using the micro-sectioning combined with optical microscopy and scanning electron microscopy assisted by focused ion beam milling. These experimental results show very good agreement with wear out effects predicted by simulations. Additionally, measurements of resistance using four-point probe method are demonstrated to be a very powerful tool to map the degradation of individual components and interfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 58, March 2016, Pages 58-64
نویسندگان
, , , ,