کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946682 | 1450545 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermoreflectance mapping observation of Power MOSFET under UIS avalanche breakdown condition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, we investigated the temperature variation of the top surface image of power MOSFET under UIS condition, measured by the optical probed thermo-reflectance image mapping (OPTIM) (using electro optical frequency mapping: EOFM). The measured data obtained by the thermoreflectance mapping was found to be sensitive to changes in temperature rather than the temperature distribution. These results suggest that the thermoreflectance mapping method has higher measuring ability of heat generation distribution, since it has higher time-resolution than that of thermography.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issues 9â10, AugustâSeptember 2015, Pages 1628-1633
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issues 9â10, AugustâSeptember 2015, Pages 1628-1633
نویسندگان
Koichi Endo, Kenji Norimatsu, Tomonori Nakamura, Takashi Setoya, Koji Nakamae,