کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946768 | 1450547 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of EM void nucleation and mechanic relaxation effects
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Study of EM void nucleation and mechanic relaxation effects Study of EM void nucleation and mechanic relaxation effects](/preview/png/6946768.png)
چکیده انگلیسی
In this paper the void formation during electromigration is characterized with the single standard via (SSV) and the innovative local sense structure (LSS). LSS allows the measurement of small resistance change before the final void formation. This has allowed to define a time nucleation for the void. The SSV has been used to study: side effect in the first phase (i.e. the “plateau”), the time to failure (TTF) and the void growth. The comprehension of all these phenomena will be fundamental for the future of interconnects reliability physics and lifetime prediction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1692-1696
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1692-1696
نویسندگان
G. Marti, L. Arnaud, Y. Wouters,