کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946805 | 1450545 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Correlation between forward-reverse low-frequency noise and atypical I-V signatures in 980Â nm high-power laser diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- We observe atypical laser diode (LD) signatures in reverse I-V measurement identified as microplasma discharges.
- Correlation between reverse I-V signatures and LFN measurements appears as a complementary tool for improvement of screening methodology for LD.
- Reverse and forward noise spectra especially exhibit 1/f noise.
- Some lasers reveal g-r noise component in bias voltages corresponding to reverse I-V slope changes and around ITH.
- Presence of g-r noise leads to believe that point defect can be localized near the active zone.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issues 9â10, AugustâSeptember 2015, Pages 1741-1745
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issues 9â10, AugustâSeptember 2015, Pages 1741-1745
نویسندگان
P. Del Vecchio, A. Curutchet, Y. Deshayes, M. Bettiati, F. Laruelle, N. Labat, L. Béchou,