کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946829 | 1450547 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of temperature and dose rate on the degradation of BiCMOS operational amplifiers during total ionizing dose testing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The degradation of BiCMOS operational amplifiers TLV2451CP under the gamma-irradiation is studied for different dose rates and temperatures during irradiation. It is shown that studied devices are sensitive to both enhanced low dose rate sensitivity and time-dependent effects. Evidently the main reason for degradation of studied devices is build-up of the interface traps. Obtained results show possibility to develop an approach for total ionizing dose testing of BiCMOS devices considering low dose rate effects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1745-1748
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1745-1748
نویسندگان
A.S. Petrov, K.I. Tapero, V.N. Ulimov,