کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946853 | 1450547 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature FIB cross section: Application to indium micro bumps
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper presents the interest of low temperature FIB cross section on indium micro bump. Experimental setup and results which demonstrate the interest of cooling the sample are detailed. We will explain the artefacts observed during FIB milling at room temperature. The Ga ions interact with indium to create locally an eutectic alloy, with melting point below room temperature. Inside the vacuum chamber, this eutectic alloys sublimates quickly and voids appear in the cross section. Cooling the sample with cryogenic stage enables to perform “clean” cross section without these artefacts.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1802-1805
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1802-1805
نویسندگان
L. Dantas de Morais, S. Chevalliez, S. Mouleres,