کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946907 | 1450547 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A comprehensive study of the application of the EOP techniques on bipolar devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper we present backside EOP signal measurements from bipolar devices. We compare these measurements on a failed transistor and on a reference transistor and we interpret the results according to a model previously developed for silicon devices (MOS and Bipolar).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 2088-2092
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 2088-2092
نویسندگان
M.M. Rebaï, F. Darracq, J.-P. Guillet, E. Bernou, K. Sanchez, P. Perdu, D. Lewis,