کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6946907 1450547 2014 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A comprehensive study of the application of the EOP techniques on bipolar devices
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A comprehensive study of the application of the EOP techniques on bipolar devices
چکیده انگلیسی
In this paper we present backside EOP signal measurements from bipolar devices. We compare these measurements on a failed transistor and on a reference transistor and we interpret the results according to a model previously developed for silicon devices (MOS and Bipolar).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9–10, September–October 2014, Pages 2088-2092
نویسندگان
, , , , , , ,