کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6946922 1450550 2012 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
TCAD for reliability
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
TCAD for reliability
چکیده انگلیسی
Using TCAD tools, many reliability issues can be studied quantitatively. Examples are hot carrier degradation of interfaces, threshold voltage shifts during NBTI stress, radiation effects and soft errors, ESD and latch-up, thermo-mechanical issues, electro-migration and stress-voiding.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9–10, September–October 2012, Pages 1761-1768
نویسندگان
, , , , , , , ,