کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946922 | 1450550 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
TCAD for reliability
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Using TCAD tools, many reliability issues can be studied quantitatively. Examples are hot carrier degradation of interfaces, threshold voltage shifts during NBTI stress, radiation effects and soft errors, ESD and latch-up, thermo-mechanical issues, electro-migration and stress-voiding.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 1761-1768
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 1761-1768
نویسندگان
P. Pfäffli, P. Tikhomirov, X. Xu, I. Avci, Y.-S. Oh, P. Balasingam, S. Krishnamoorthy, T. Ma,