کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946938 | 1450550 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of 1064 nm laser on MOS capacitor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We would like to predict complex circuit's behavior under photoelectric stimulation. ⺠For that, it is mandatory to understand first the behavior of elementary devices. ⺠That is why we analyze effects induced by static laser stimulation on MOS capacitors. ⺠Traps are induced in different part of the band gap depending on the substrate type. ⺠It is also shown that electric stress increases the density of such interface traps.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 1816-1821
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 1816-1821
نویسندگان
R. Llido, P. Masson, A. Regnier, V. Goubier, G. Haller, V. Pouget, D. Lewis,