کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947015 | 1450550 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
BTI reliability of ultra-thin EOT MOSFETs for sub-threshold logic
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A first study of the BTI reliability of a 6Â Ã
EOT CMOS process for potential application in sub-threshold logic is presented. Considerable threshold voltage shifts are observed also for sub-threshold operation. The observed shifts convert to a remarkable current reduction due to the exponential dependence of current on Vth in this operating regime. Moreover, the pMOS is observed to degrade significantly more w.r.t. the nMOS device, inducing a detrimental Vth-imbalance. A proper device failure criterion is proposed, based on simulation of the DC robustness of an inverter logic circuit.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 1932-1935
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 1932-1935
نویسندگان
J. Franco, S. Graziano, B. Kaczer, F. Crupi, L.-Ã
. Ragnarsson, T. Grasser, G. Groeseneken,