کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947068 | 1450550 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal overstress of Cu wire under pulsed current condition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Copper wire introduction in IC industry is showing new and interesting challenges. In this paper, we present the experimental observations and theoretical hypothesis of copper wire degradation under thermal stress in pulsed current condition. The real case is a smart power test vehicle which fails under stress induced by Operating Life Test. Physical failure analysis results and theoretical thermal simulations are reported, as well as a failure mechanism hypothesis, which highlights product/package interaction sensitivity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2010-2013
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2010-2013
نویسندگان
M. Cason, G.L. Gobbato, L. Manfredi, M. Nessi, R. Ricci, P. Pulici, C.M. Villa,