کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947075 | 1450550 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparison of FET electro-optical modulation for 1300Â nm and 1064Â nm laser sources
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Detecting laser beam reflectance modulation intensity (RMI) from the back-side obtains useful information about the functional performance of an integrated circuit (IC). In this paper, we want to focus on the different signal signatures coming from different regions of a single transistor (gate and drain) to better understand the origin of these signals using two different wavelengths (1064Â nm and 1300Â nm). For this reason, very simple functional cases have been selected for analysis and simulation of the optical properties: varactor in inversion (gate region) and the reverse-biassed pn-junction (drain region).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2024-2030
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2024-2030
نویسندگان
C. Pagano, C. Boit, A. Glowacki, R. Leihkauf, Y. Yokoyama,