کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947148 | 1450550 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Catastrophic flip-chip failures at thermal cycles caused by micro-cracks in passivation layer, present only in the spacing between minimum width stripes of last metal level
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The implemented solution was minimum metal 4 stripes widening. The devices with new layout were submitted to thermal cycles stress, resulting in zero failures (up to 500 cycles), versus 30% of failure rate (after 100 cycles) of first layout version.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2127-2134
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2127-2134
نویسندگان
R.L. Torrisi, V. Maiorana, R. Nicolosi, G. Presti,