| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 6947176 | 1450550 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Degradation behavior of high power light emitting diode under high frequency switching
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
However, the focus of the development of SSL has been for lighting purposes and not for VLC system. This work investigate the degradation behavior of SSL under switching condition with various stress condition such as temperature, frequency, modulation index so as to provide the feasibility of the use of SSL for VLC.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2168-2173
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2168-2173
نویسندگان
S.H. Chen, C.M. Tan, G.H. Tan, F.F. He,