کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947183 | 1450550 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Failure mechanisms in blue InGaN/GaN LEDs for high power operation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Unpredictable fast failure of blue power InGaN/GaN LEDs is caused by redistribution of In under action of injection currents between nano-scale regions of InGaN alloy with non-equilibrium composition. Unreliable LEDs can be recognized by the increase in forward current values at UÂ <Â 2Â V which is not accompanied by simultaneous reversed current increase during short aging tests (less than 100Â h).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2180-2183
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2180-2183
نویسندگان
A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, P.V. Petrov, N.M. Shmidt, E.I. Shabunina, A.L. Zakheim,