کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6947245 1450551 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design considerations and strategies for high-reliable STT-MRAM
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Design considerations and strategies for high-reliable STT-MRAM
چکیده انگلیسی
► We present some efficient methods to improve the reliability of STT-MRAM. ► New design strategy like cross-point architecture allows high density towards Gbit. ► A theoretical analysis of erroneous sensing is described. ► New STT-MRAM cell selection method is proposed with two transistors shared by MTJs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9–11, September–November 2011, Pages 1454-1458
نویسندگان
, , , , , ,