کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947245 | 1450551 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design considerations and strategies for high-reliable STT-MRAM
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We present some efficient methods to improve the reliability of STT-MRAM. ⺠New design strategy like cross-point architecture allows high density towards Gbit. ⺠A theoretical analysis of erroneous sensing is described. ⺠New STT-MRAM cell selection method is proposed with two transistors shared by MTJs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1454-1458
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1454-1458
نویسندگان
W.S. Zhao, T. Devolder, Y. Lakys, J.O. Klein, C. Chappert, P. Mazoyer,