| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 6947247 | 1450551 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Applying Bayesian mixtures-of-experts models to statistical description of smart power semiconductor reliability
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We present a Bayesian model to predict the lifetime of power semiconductors. ⺠The model includes prior information from experts. ⺠The model parameters depend strongly on electrical and thermal test conditions. ⺠The proposed model shows good interpolation quality.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1464-1468
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1464-1468
نویسندگان
Olivia Bluder, Michael Glavanovics, Jürgen Pilz,