کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947260 | 1450551 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Leakage current, active power, and delay analysis of dynamic dual Vt CMOS circuits under P-V-T fluctuations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠P-V-T fluctuations can result in reliability problems in the dynamic CMOS circuits. ⺠Under P-V-T fluctuations, dual Vt technique is effective to reduce power and leakage. ⺠Under P-V-T fluctuations, dual Vt technique is also induces speed penalty. ⺠The robustness of different circuits against the P-V-T fluctuations is different.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1498-1502
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1498-1502
نویسندگان
Jinhui Wang, Na Gong, Ligang Hou, Xiaohong Peng, Ramalingam Sridhar, Wuchen Wu,