کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6947260 1450551 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Leakage current, active power, and delay analysis of dynamic dual Vt CMOS circuits under P-V-T fluctuations
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Leakage current, active power, and delay analysis of dynamic dual Vt CMOS circuits under P-V-T fluctuations
چکیده انگلیسی
► P-V-T fluctuations can result in reliability problems in the dynamic CMOS circuits. ► Under P-V-T fluctuations, dual Vt technique is effective to reduce power and leakage. ► Under P-V-T fluctuations, dual Vt technique is also induces speed penalty. ► The robustness of different circuits against the P-V-T fluctuations is different.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9–11, September–November 2011, Pages 1498-1502
نویسندگان
, , , , , ,