کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947283 | 1450551 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An extension of the Curie-von Schweidler law for the leakage current decay in MIS structures including progressive breakdown
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The leakage current decay in MIS structures was investigated. ⺠The devices were subjected to constant-voltage stress. ⺠An equivalent electrical circuit model for the current-time characteristic is reported. ⺠The model is based on an extension of the Curie-von Schweidler law.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1535-1539
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1535-1539
نویسندگان
E. Miranda, C. Mahata, T. Das, C.K. Maiti,