کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947318 | 1450551 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of irregular geometries on low-k dielectric breakdown
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Backend geometries on chips contain a wide variety of features. We are developing a full-chip reliability simulator for low-k dielectric breakdown that takes into account the vulnerable area, linewidth, vias, and line edge roughness. The simulator provides a link between test structure results and predictions of chip dielectric lifetime. However, these factors may not be sufficient for large chips with a wider variety of features. In this paper, we analyze data from backend dielectric test structures with irregular geometries to determine if more layout features need to be added to a full-chip reliability simulator for low-k dielectric breakdown.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1582-1586
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1582-1586
نویسندگان
Muhammad Bashir, Linda Milor, Dae Hyun Kim, Sung Kyu Lim,