کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947353 | 1450551 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Failure analysis defect location on a real case 55Â nm memory using dynamic power supply emulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Defect location techniques in failure analysis of CMOS 55 nm SRAM failure. ⺠Additional signatures obtained by applying a clock signal on the circuit power supplies. ⺠More information on the defect location using dynamic power supplies test. ⺠Original circuit emulation opening the door to more location techniques. ⺠New axis of development in circuit debug in failure analysis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1646-1651
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1646-1651
نویسندگان
Thierry Parrassin, Guillaume Celi, Sylvain Dudit, Michel Vallet,