کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947354 | 1450551 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Laser induced impact ionization effect in MOSFET during 1064Â nm laser stimulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Analysis of interaction effects during laser stimulation on MOSFET done. ⺠Effects occurring during the 1064 nm laser stimulation characterized. ⺠Impact ionization current becomes significant when high laser power applied. ⺠Results are being verified by device simulation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1652-1657
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1652-1657
نویسندگان
Sanjib Kumar Brahma, Arkadiusz Glowacki, Reiner Leihkauf, Christian Boit,