کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947359 | 1450551 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoelectric Laser Stimulation applied to Latch-Up phenomenon and localization of parasitic transistors in an industrial failure analysis laboratory
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The proposed methodology is based on pseudo-Dynamic Photoelectric Laser Stimulation. ⺠We present a new flow to deal with Latch-Up phenomenon issues. ⺠For it we developed a manner to trig Latch-Up allowing localization of sources of it. ⺠This method allowed us localizing a microcontroller's parasitic bipolar transistor.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1658-1661
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1658-1661
نویسندگان
R. Llido, J. Gomez, V. Goubier, N. Froidevaux, L. Dufayard, G. Haller, V. Pouget, D. Lewis,