کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6947359 1450551 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoelectric Laser Stimulation applied to Latch-Up phenomenon and localization of parasitic transistors in an industrial failure analysis laboratory
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Photoelectric Laser Stimulation applied to Latch-Up phenomenon and localization of parasitic transistors in an industrial failure analysis laboratory
چکیده انگلیسی
► The proposed methodology is based on pseudo-Dynamic Photoelectric Laser Stimulation. ► We present a new flow to deal with Latch-Up phenomenon issues. ► For it we developed a manner to trig Latch-Up allowing localization of sources of it. ► This method allowed us localizing a microcontroller's parasitic bipolar transistor.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9–11, September–November 2011, Pages 1658-1661
نویسندگان
, , , , , , , ,