کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947395 | 1450551 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical characterization and reliability study of integrated GaN power amplifier in multi-layer thin-film technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We examine the integrated GaN PA degradation based on MCM-D and LTCC technologies. ⺠Improper thermal contact may cause the PA performance degradation. ⺠Reducing the heat spread distance can improve the PA performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1721-1724
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1721-1724
نویسندگان
R. Liu, D. Schreurs, W. De Raedt, F. Vanaverbeke, J. Das, R. Mertens, I. De Wolf,