کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6947395 1450551 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical characterization and reliability study of integrated GaN power amplifier in multi-layer thin-film technology
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electrical characterization and reliability study of integrated GaN power amplifier in multi-layer thin-film technology
چکیده انگلیسی
► We examine the integrated GaN PA degradation based on MCM-D and LTCC technologies. ► Improper thermal contact may cause the PA performance degradation. ► Reducing the heat spread distance can improve the PA performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9–11, September–November 2011, Pages 1721-1724
نویسندگان
, , , , , , ,