کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947480 | 1450551 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Migration induced material transport in Cu-Sn IMC and SnAgCu microbumps
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠First separated simulation of the Cu and Sn migration in Cu6Sn5 and Cu3Sn. ⺠Identification of reasons for the void formation at Cu6Sn5/Cu3Sn interfaces. ⺠Determination of the averaged effective ionic charge (Zâ) of Cu6Sn5 and Cu3Sn. ⺠Comparison between the electromigration induced mass flux in Cu-Sn IMCs and SAC. ⺠Identification of reasons for void formation at SAC/IMC interfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1860-1864
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1860-1864
نویسندگان
L. Meinshausen, K. Weide-Zaage, H. Frémont,