کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6947480 1450551 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Migration induced material transport in Cu-Sn IMC and SnAgCu microbumps
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Migration induced material transport in Cu-Sn IMC and SnAgCu microbumps
چکیده انگلیسی
► First separated simulation of the Cu and Sn migration in Cu6Sn5 and Cu3Sn. ► Identification of reasons for the void formation at Cu6Sn5/Cu3Sn interfaces. ► Determination of the averaged effective ionic charge (Z∗) of Cu6Sn5 and Cu3Sn. ► Comparison between the electromigration induced mass flux in Cu-Sn IMCs and SAC. ► Identification of reasons for void formation at SAC/IMC interfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9–11, September–November 2011, Pages 1860-1864
نویسندگان
, , ,