کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947487 | 1450551 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An active heat-based restoring mechanism for improving the reliability of RF-MEMS switches
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We demonstrate an active restoring mechanism for stuck RF-MEMS switches. ⺠We established a measurement procedure for testing RF-MEMS switches with heaters. ⺠We demonstrate the effectiveness of the embedded micro-heaters pulsed activation. ⺠We developed a simulation procedure/methodology for RF-MEMS devices with heaters. ⺠Mechanical constraints are included for extracting heat-induced restoring forces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1869-1873
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1869-1873
نویسندگان
J. Iannacci, A. Faes, A. Repchankova, A. Tazzoli, G. Meneghesso,