کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6947494 1450551 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Outgassing study of thin films used for poly-SiGe based vacuum packaging of MEMS
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Outgassing study of thin films used for poly-SiGe based vacuum packaging of MEMS
چکیده انگلیسی
► TDS was used to study outgassing from thin films used for MEMS vacuum package. ► We studied the outgassing of polycrystalline SiGe, SiC and SiO2 films. ► Primary desorption products were found to be H2, H2O and CO2. ► The CO2 could be correlated with CF4 plasma interface cleaning used for SiGe PECVD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9–11, September–November 2011, Pages 1878-1881
نویسندگان
, , , , , , , ,