کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947494 | 1450551 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Outgassing study of thin films used for poly-SiGe based vacuum packaging of MEMS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠TDS was used to study outgassing from thin films used for MEMS vacuum package. ⺠We studied the outgassing of polycrystalline SiGe, SiC and SiO2 films. ⺠Primary desorption products were found to be H2, H2O and CO2. ⺠The CO2 could be correlated with CF4 plasma interface cleaning used for SiGe PECVD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1878-1881
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 51, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2011, Pages 1878-1881
نویسندگان
B. Wang, S. Tanaka, B. Guo, G. Vereecke, S. Severi, A. Witvrouw, M. Wevers, I. De Wolf,