کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7134926 1461856 2016 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Shear stress enhanced fatigue damage accumulation in single crystalline silicon under cyclic mechanical loading
ترجمه فارسی عنوان
استرس برشی تجمع خستگی در سیلیکون تک بلوری تحت بارگذاری مکانیکی سیلیکونی افزایش می یابد
کلمات کلیدی
سیلیکون کریستال تک، استرس برشی، لغزش کریستال، تجمع نقص، الگوی شبیه سازی شبکه جابجایی،
ترجمه چکیده
در مقایسه با فرضیه معمول پذیرفته شده که در آن لایه سطحی اکسید نقش مهمی در شکستگی خستگی سیلیکون بازی می کند، سناریو دیگری که اخیرا به نظر می رسد توسط مجموعه ای از شواهد نشان داده شده که نشان دهنده تغییر شکل لغزش بلوری است که منجر به تجمع خستگی می شود. دو نوع مختلف از نمونه ها با نسبت تنش برشی / تنش بر روی {111} هواپیما لغزش کریستال طراحی و تحت بارگذاری خستگی قرار گرفتند. سرانجام طول عمر بیشتر با استرس برشی کمتری در این هواپیما بود. الگوهای سطح شکستی همچون سطح شکست مشاهده شده نیز دیده می شود که باید قبل از ایجاد شکست ناپایدار ایجاد شود. حتی شبکه های جابجایی در محل شروع شکستگی کشف شد. سیلیکون ممکن است حتی در دمای اتاق، حتی در دمای اتاق، رفتار بیشتری داشته باشد، بدون شک، نهایتا منجر به شکست در زیر بارگیری مکانیکی می شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی الکتروشیمی
پیش نمایش مقاله
استرس برشی تجمع خستگی در سیلیکون تک بلوری تحت بارگذاری مکانیکی سیلیکونی افزایش می یابد
چکیده انگلیسی
In contrast to the commonly accepted hypothesis where surface oxide layer is supposed to play a dominant role on fatigue fracture of silicon, another scenario newly appeared here being supported by a series of evidences which showed crystal slip deformation leading to fatigue damage accumulation. Two different types of specimens with different shear/tensile stress ratios on {111} crystal slip plane were designed and subjected to fatigue loading. Lifetime was eventually longer with smaller shear stress working on this plane. Striation-like fracture surface patterns were also observed, which should have been created before unstable fracture took place. Even dislocation networks were discovered at the fracture initiation site. Silicon may behave in a much more metallic manner even at room temperature than was ever believed before, no wonder finally leading to fracture under cyclic mechanical loading.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 244, 15 June 2016, Pages 314-323
نویسندگان
, , , ,