کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7138191 | 1461914 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
DEMUX devices based on a-SiC:H
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The device functioning is explained with results obtained by numerical simulation of the device, which permit an insight to the internal electric configuration of the double heterojunction. These results address the explanation of the device functioning in the frequency domain to a wavelength tunable photocapacitance due to the accumulation of space charge localized at the internal junction. The existence of a direct relation between the experimentally observed capacitive effects of the double diode and the quality of the semiconductor materials used to form the internal junction is highlighted.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 186, October 2012, Pages 143-147
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 186, October 2012, Pages 143-147
نویسندگان
A. Fantoni, P. Louro, M.A. Vieira, T. Silva, M. Vieira,