Proposal of contact potential promoted oxide semiconductor gas sensor

تماس بین دو دانه نیمه هادی اکسید مختلف در عملکرد کار (تماس هترو) با تولید پتانسیل تماس، که حساس به گاز است. مقاومت این تماس هتروترول تحت تأثیر گازهای محیطی به صورت دوگانه، از طریق تغییر تراکم سطح حاملها (عملکرد گیرنده دانه اصلی) و از طریق تغییر حرکت الکترونهای حرکتی (اثر پتانسیل تماس) و از این رو نه تنها حساس تر به گازها نسبت به تماس بین دانه های مشابه است (همو تماس)، اما همچنین مطابق قوانین قدرت مختلف است. این است که از طریق کاوش با استفاده از مدل های دستگاه نشان داده شده است که یک سنسور گاز جدید اکسید کامپوزیت که از پتانسیل تماس استفاده می کند، در صورتی که دو نوع دانه به طور مناسب انتخاب شوند و ساختاری که دانه ها در آن بسته بندی شده، به درستی طراحی شده باشد، در دسترس خواهد بود. به ویژه برای رسیدن به چنین سازه ای خاص بسته بندی شده است که اجازه می دهد تا ارتباطات هتروترونی در مسیر اصلی حمل و نقل الکترون قرار گیرد.