کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7148836 | 1462105 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Threshold voltage drift of FET sensor arrays with different gate insulators
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Threshold voltage drift of FET sensor arrays with different gate insulators Threshold voltage drift of FET sensor arrays with different gate insulators](/preview/png/7148836.png)
چکیده انگلیسی
Threshold voltages of EISFET exhibit temporal drift that is a major challenge for electronic detection of DNA. We fabricated a series of EISFET arrays and experimentally studied absolute drift, relative drift and settling times of their threshold voltages. Comparing different gate insulator materials, we found best drift performance with Si3N4, TiO2 or SiO2 insulators, depending on the salt concentrations used in the electronic measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 185, August 2013, Pages 282-286
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 185, August 2013, Pages 282-286
نویسندگان
C. Perréard, A. Blin, U. Bockelmann,