Atomic diffusion mediated by vacancy defects in pure and transition element (TM)-doped (TMÂ =Â Ti, Y, Zr or Hf) L12 Al3Sc

کد مقاله	کد نشریه	سال انتشار	مقاله انگلیسی	نسخه تمام متن
7218070	1470274	2016	9 صفحه PDF	دانلود رایگان

عنوان انگلیسی مقاله ISI

Atomic diffusion mediated by vacancy defects in pure and transition element (TM)-doped (TMÂ =Â Ti, Y, Zr or Hf) L12 Al3Sc

دانلود مقاله + سفارش ترجمه

دانلود مقاله ISI انگلیسی

رایگان برای ایرانیان

کلمات کلیدی

Projector augmented wave VSC Minimum energy paths MEP PAW VASP GGA - ARF DFT - DFT Dopant effect - اثر دوپینگ Atomic diffusion - انتشار اتمی first principles calculation - اولین محاسبه اصول Density of states - تراکم دولتی Total density of states - تراکم مجموع دولت ها Generalized gradient approximation - تقریب شیب عمومی DOS - داس val - ساعت transition metal - فلزات انتقالی ASB - لطفا Activation barrier - مانع فعال سازی Density functional theory - نظریه تابعی چگالی Vacancy defect - نقص واگذاری

موضوعات مرتبط

مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی (عمومی)

پیش نمایش صفحه اول مقاله

Atomic diffusion mediated by vacancy defects in pure and transition element (TM)-doped (TMÂ =Â Ti, Y, Zr or Hf) L12 Al3Sc

ناشر

Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials & Design - Volume 108, 15 October 2016, Pages 529-537

نویسندگان

Tao-Tao Shi, Jia-Ning Wang, Ya-Ping Wang, Hai-Chen Wang, Bi-Yu Tang,