کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7222267 | 1470395 | 2017 | 27 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of p(x)-Laplace thermistor models describing the electrothermal behavior of organic semiconductor devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We prove the existence and boundedness of solutions in the two-dimensional case. The crucial point is to establish the higher integrability of the gradient of the electrostatic potential to tackle the Joule heating term. The proof of the improved regularity is based on Caccioppoli-type estimates, Poincaré inequalities, and a Gehring-type Lemma for the p(x)-Laplacian. Finally, Schauder's fixed-point theorem is used to show the existence of solutions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nonlinear Analysis: Real World Applications - Volume 34, April 2017, Pages 536-562
Journal: Nonlinear Analysis: Real World Applications - Volume 34, April 2017, Pages 536-562
نویسندگان
Annegret Glitzky, Matthias Liero,