کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7225338 | 1470573 | 2018 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature dependence of defect mode in band structures of the one-dimensional photonic crystal
ترجمه فارسی عنوان
وابستگی دمای حالت نقص در ساختارهای باند بلور فوتونی یک بعدی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
کریستال فوتونی، حالت نقص، روش گسترش موج هواپیما،
ترجمه چکیده
با استفاده از روش گسترش انفجار هوایی، اثر تغییر دما و ضخامت نقص در یک کریستال فوتونی یک بعدی که شامل لیترهای متناوب سیلیکون و هوا در سازه های باند است مورد بررسی قرار گرفته است. شاخص شکست لایه های سیلیکونی به عنوان تابعی از درجه حرارت و طول موج گرفته می شود. مشخص شده است که حالت نقص در شکاف فرکانس ممنوعه در سازه های باند وجود دارد. نشان داده شده است که افزایش دما منجر به تغییر شکل حالت نقص در ساختار باند در فرکانس های پایین به علت افزایش کنتراست شاخص شکست می شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
چکیده انگلیسی
Using the plane wave expansion method the effect of temperature variation and the thickness of the defect in a one-dimensional photonic crystal consisting of alternate layers of silicon and air in the band structures has been investigated. The refractive index of silicon layers is taken as a function of temperature and wavelength. It is found that there exists defect mode within the forbidden frequency gap in the band structures. It is shown that increasing the temperature originates a defect mode shift in the band structure at low frequencies due to contrast increase of the refractive index.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - Volume 154, February 2018, Pages 467-472
Journal: Optik - Volume 154, February 2018, Pages 467-472
نویسندگان
Francis Segovia-Chaves, Herbert Vinck-Posada,