کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
725533 | 892537 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dependence of discharge path on breakdown characteristic of tunneling magnetroresistive read heads
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The dependence of discharge path on the breakdown of a TMR head was performed by using human body model in 4 cases; R+ â Râ (1st), Râ â R+ (2nd), R+ â ground (3rd) and Râ â ground (4th). It is seen by using the TMR read head equivalent circuit that, at first, the 1st and 3rd, and the 2nd and 4th, cases present an intrinsic and extrinsic breakdown, respectively. A potential difference across the substrate is thought to cause a different breakdown mechanism. Dependence of voltage polarity across the TMR sensor on asymmetry parameter is also discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electrostatics - Volume 68, Issue 6, December 2010, Pages 503-507
Journal: Journal of Electrostatics - Volume 68, Issue 6, December 2010, Pages 503-507
نویسندگان
N. Jutong, D. Sompongse, A. Siritaratiwat,