کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
739665 | 1461906 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reproducible resistive switching in hydrothermal processed TiO2 nanorod film for non-volatile memory applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Reproducible resistive switching in hydrothermal processed TiO2 nanorod film for non-volatile memory applications Reproducible resistive switching in hydrothermal processed TiO2 nanorod film for non-volatile memory applications](/preview/png/739665.png)
چکیده انگلیسی
In this study, we examined the resistive switching characteristics of the TiO2 nanorod film based resistance random access memory (RRAM). TiO2 nanorod film is grown on FTO substrate by simple hydrothermal process. The grown TiO2 film is characterized using SEM, XRD, EDAX and FTIR for its morphological, structural and compositional studies. XRD result confirms the anatase phase of TiO2. The analysis of I–V results reveals that the switching property of our device originates from the oxidation/reduction reaction occurred at the interface of Ti/TiO2. The device exhibited high ON/OFF ratio (>104), long retention and good endurance performance at RT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 194, 1 May 2013, Pages 135–139
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 194, 1 May 2013, Pages 135–139
نویسندگان
V. Senthilkumar, A. Kathalingam, V. Kannan, Karuppanan Senthil, Jin-Koo Rhee,