کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
740686 | 894181 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Vapour sensing properties of InP quantum dot luminescence
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We investigated uncapped InP quantum dots grown epitaxially on InGaP buffer layer as an optically active element for chemical vapour detection. Near infrared luminescence has been studied as a function of the external environment. QD luminescence intensity changes rapidly and reversibly on exposure to methanol vapour while its spectral shape remains unchanged. For QDs about 45 nm average lateral size and 4–6 nm height, sensitivity to methanol vapour in the range 3.3 × 104–7.2 × 103 ppm has been demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 162, Issue 1, 20 February 2012, Pages 149–152
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 162, Issue 1, 20 February 2012, Pages 149–152
نویسندگان
R. De Angelis, M. Casalboni, F. Hatami, A. Ugur, W.T. Masselink, P. Prosposito,