کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
743477 | 894358 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxygen sensitivity of SrTiO3 thin film prepared using atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Oxygen sensitivity of SrTiO3 thin film prepared using atomic layer deposition Oxygen sensitivity of SrTiO3 thin film prepared using atomic layer deposition](/preview/png/743477.png)
چکیده انگلیسی
A strontium titanate (SrTiO3) thin film showed high oxygen sensitivity on the ppb order at room temperature. The sensitivity is enough to monitor oxygen contamination in semiconductor manufacturing processes, which is becoming increasingly important as semiconductor devices are scaled down to the nanometer generation. The SrTiO3 film was prepared using atomic layer deposition (ALD), which has been established and found suitable for mass production.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 136, Issue 2, 2 March 2009, Pages 489–493
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 136, Issue 2, 2 March 2009, Pages 489–493
نویسندگان
Toru Hara, Takashi Ishiguro,